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9月27日-29日，2025中国汽车充换电生态大会在安徽省合肥市举办。本届大会以“十年奋进，智启未来”为主题，由中国电动汽车充电基础设施促进联盟和中国汽车工业协会充换电分会联合主办，设置了1场闭门会议、1场大会开幕式暨主论坛、6场主题论坛，以及多场特色专场活动，并新增了“充换电产业十周年发展成果回顾”，旨在共同推动充换电行业良性产业生态构建。其中，在9月29日下午举办的“特色专场：安徽省区域特色专场活动”上，合肥艾创微电子科技有限公司副总经理王威发表精彩演讲。
以下内容为现场发言实录：
在座大家下午好！合肥艾创微电子科技有限公司是一家专门从事模拟及数模混合芯片设计研发公司，我今天分享的是碳化硅芯片在新能源汽车上未来的应用场景和市场情况。
首先，新能源汽车和光伏发电领域是碳化硅器件目前主要的应用场景，因为传统的IGBT的器件在面临高压、高温、大电流的情况下，本身的硅基工艺已经满足不了现在的需求，碳化硅本身材料可以在高频、高压、高温的情况下有更好的电气特性，首先，在新能源汽车上，目前主要是以电驱、OBC和直流充电桩上可以大批量应用，为这些应用场景提供更高的功率密度和更高的可靠性。
第二，在光伏发电领域，碳化硅材料本身具备更低的导通电阻和更快的反向恢复特性等，所以使用碳化硅MOS或者碳化硅的SBD器件，再结合光伏的逆变器，可以将转化效率提高到99%以上，能量损耗降低50%以下，同时提高设备循环寿命。因此新能源汽车光伏充放电领域也是碳化硅未来较大的应用市场。
碳化硅作为第三代半导体主要优势有三点。第一耐高压，现在碳化硅常用的量在1200伏和1700伏耐压，相比传统IGBT的1000伏提高很多，后续碳化硅将提高到将近2200伏或者3300伏的高压情况下。第二，耐高频，SIC材料不存在电流拖尾现象，能够提高开关频率。提高开关频率的基础，也就是在同样的情况下，我的变压器面积会更小，整个功率密度可以做得更大。第三，耐高温，碳化硅材料本身特性的熔点，可以将近到260多度，270度还可以正常工作，因此碳化硅的可靠性在高温情况下，它的可靠性比传统硅基工艺更高。
下面介绍艾创微。我们从2015年成立，从低功耗电源管理芯片设计开发，到后面的车规芯片研发。我们做第三代半导体，主要以碳化硅和氮化镓为主。现在我们车规芯片量产导入到国内十七家主机厂。
我们碳化硅优势相比于现在的，一个是自定制工艺的开发，因为国内现在做碳化硅的有很多，如何提高本身器件更低的成本和更高的可靠性，本身自己的工艺是基本的核心。我们的器件保证在同等面积下具有更高的耐压、更大的电流。这是我们的工艺迭代图，可以看出随着技术的迭代升级，我们的ISP越来越低，代表着我在同样一个平方情况下，我的产品可以保证更高的耐压，我的成本更低。我们G3产品良率做到95%，因为现在碳化硅之所以制约成本的主要原因就是良率的问题，因为电流越大或者芯片面积越大，那它的良率就越低。1200伏10个毫欧或者9毫欧它的良率就60%多。所以现在我们产品良率在1200伏11毫欧的时候良率到95%了。第二，驱动电压，大家做传统IGBT的时候电压都15伏，想去平替IGBT的话，碳化硅的电压我们也在满足15伏的直驱，平替IGBT。同时导通电阻会更低，保证客户使用的时候有良好的直接替代。这是用我们的芯片做的，可以看出芯片面积降到和竞品20%左右。
碳化硅作为高频率、高功率的器件，可靠性是我们关注的，这也是针对碳化硅本身所做的可靠性试验。比如说高温反偏、高温存储、低温存储等，我们本身有实验室，可以保证更高的可靠性。这是在车上的应用场景，除了刚才讲的OBC，现在很多像液压悬架也是我们做的方案，从传统IGBT的方案已经替代使用现在的碳化硅方案。因为现在碳化硅价格这两年呈现直线式下降，以前1200伏40毫欧的在2年前还能卖到20多块钱，现在1200伏40毫欧的碳化硅不到10块钱，这个价格是拦腰式的斩断。我相信现在随着8寸要量产，碳化硅的价格还会继续下探。
这是我们已经形成的方案，比如说UPS上1200伏80毫欧、40毫欧和650伏30毫欧的场景。包括OBC，OBC现在在碳化硅用得比较多的，现在核心还是1200伏40毫欧和21毫欧的产品为主。第三，光伏，光伏逆变器主要是1700伏，1欧姆左右。还有充电桩，尤其是在直流充电桩或者双充模块上现在已经实现大批量的碳化硅场景应用，传统IGBT越来越少。现在大家做超充、快充的，内部都用碳化硅做了。
这是实验室，刚才做的实验基本上依托于我们自己的实验室做的，我们实验室是集研发、测试、验证于一体，我们具备半导体分析能力。芯能研平台一个是跟随上游产业链，整个汽车行业主机厂，第二是下游认证公司，给客户做服务。这是针对第三代半导体形成的专利情况，目前第三代半导体领域申请知识产权40项，专利21项，已经受理14项。
未来除了做碳化硅芯片，我们也会做碳化硅工艺模块，现在想用大的OBC的场景，功率模块是必不可少的。还有往系统集成方向做，另外，我们现在做碳化硅的驱动，后面将碳化硅驱动和碳化硅芯片合为一体，做一个整体化的方案给客户，方便客户做整体的开发。
客户在使用碳化硅的时候最大的问题是不知道怎么用，因为传统的IGBT驱动的时候电路比较成熟，换上碳化硅之后可能会出现炸管或者驱动的时候温度过高的问题，本身对于碳化硅驱动的场景还不是很熟悉。
我们会做系列化的方案，帮助客户提供整个碳化硅的驱动方案。这是未来的Roadmap，现在做量产的还是650伏、1200伏和1700伏为主，可能后续重点往更加高压2200伏和3300伏的产品做。
谢谢！
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